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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK)
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2480800
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IPB054N08N3GATMA1
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.0046 ohm
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
80 A
Betriebstemperatur, max.:
175 °C
Bauform - Transistor:
TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds:
80 V
Verlustleistung:
150 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
2.8 V
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
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,
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smd transistor
,
mosfet 80a
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
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Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
INFINEON
,
IPB054N08N3GATMA1
,
2480800
,
248-0800
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