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ROHM RUS100N02TB MOSFET, N-KANAL, 20V, 10A, SOP-8


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2490248
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RUS100N02TB
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Verlustleistung: 2 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 10 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOP
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RUS100N02TB, 2490248, 249-0248
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