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ONSEMI NTMS10P02R2G MOSFET, P-KANAL, -20V, -8.8A, SOIC-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2533197
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTMS10P02R2G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 8.8 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 1.6 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880 mV
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTMS10P02R2G, 2533197, 253-3197
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