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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2533348
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
SMMBTA06LT1G
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor npn
Dauer-Kollektorstrom:
500 mA
DC-Stromverstärkung (hFE), min.:
100 hFE
Verlustleistung:
225 mW
Qualifikation:
AEC-Q101
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Wandlerpolarität:
NPN
Übergangsfrequenz:
100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, max.:
80 V
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
SOT-23
RoHS konform: Ja
... >
Transistoren
>
Bipolare Transistoren
>
Einzelne bipolare Schichttransistoren (BJT)
Weitere Suchbegriffe:
smd transistor
,
onsemi transistor
,
(BJT)
,
Bipolare
,
Dioden
,
Einzelne
,
Gleichrichter
,
Schichttransistoren
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
ONSEMI
,
SMMBTA06LT1G
,
2533348
,
253-3348
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