| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-2575364 Herst.-Nr.: FQD3P50TM EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9 ohmProduktpalette: QFET MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 2.1 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 500 VVerlustleistung: 2.5 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FQD3P50TM, 2575364, 257-5364 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |