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VISHAY SIHG33N65E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 32.4A, TO-247AC-3
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2576519
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SIHG33N65E-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.09 ohm
Produktpalette:
E
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Durchsteckmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
32.4 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TO-247AC
Drain-Source-Spannung Vds:
650 V
Verlustleistung:
313 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
4 V
SVHC:
Lead (19-Jan-2021)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
mosfet vishay
,
mosfet
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
VISHAY
,
SIHG33N65E-GE3
,
2576519
,
257-6519
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ab 7500 Stück
CHF 3.67*
CHF 3.97
pro Stück
Zubehör
Folgendes Zubehör führen wir in unserem Sortiment:
Art
Bild
Artikel
Hersteller/-Nr.
Preis
Zubehör
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