ROHM R6011ENJTL MOSFET, N-KANAL, 600V, 11A, TO-263

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-2630093

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
R6011ENJTL

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 11 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 600 V

Verlustleistung: 124 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V

SVHC: Lead (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, R6011ENJTL, 2630093, 263-0093

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