| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-2674788 Herst.-Nr.: IXTP2N65X2 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 2 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 55 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: Lead (17-Jan-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, mosfet 2a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTP2N65X2, 2674788, 267-4788 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |