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| Artikel-Nr.: 8737-2674812 Herst.-Nr.: MMIX1F520N075T2 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 ohmProduktpalette: TrenchT2 GigaMOS HiperFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 21 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 500 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: SMD Drain-Source-Spannung Vds: 75 VVerlustleistung: 830 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: Lead (17-Jan-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys mosfet, smd transistor, mosfet 500a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, MMIX1F520N075T2, 2674812, 267-4812 |
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