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ROHM SCT3060ALGC11 MOSFET, N-KANAL, 650V, 39A, TO-247N


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2678785
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     SCT3060ALGC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
(SiC)-MOSFET
Dioden
FETs
Gleichrichter
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 39 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247N
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 165 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6 V
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Die Konditionen im Überblick1
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