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| Artikel-Nr.: 8737-2679686 Herst.-Nr.: SI3459BDV-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18 ohmProduktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 2.9 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TSOP Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 3.3 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI3459BDV-T1-GE3, 2679686, 267-9686 |
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