ROHM QS8M13TCR MOSFET, N- UND P-KANAL, 30V, 6A, TSMT

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-2706598

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
QS8M13TCR

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V

Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6 A

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V

Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6 A

Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02 ohm

Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal

Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02 ohm

Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 W

Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 W

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TSMT

Qualifikation: -

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ROHM, QS8M13TCR, 2706598, 270-6598

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