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ROHM R8002ANX MOSFET, N-KANAL, 800V, 2A, TO-220FM-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2706606
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R8002ANX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220FM
  • Drain-Source-Spannung Vds: 800 V
  • Verlustleistung: 36 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, R8002ANX, 2706606, 270-6606
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