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Artikel
ROHM SH8M11GZETB MOSFET, N- & P-KANAL, 30V, SOP8
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2706782
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
SH8M11GZETB
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal:
30 V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal:
3.5 A
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
8 Pin(s)
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal:
30 V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal:
3.5 A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal:
0.07 ohm
Kanaltyp:
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal:
0.07 ohm
Verlustleistung, n-Kanal:
2 W
Verlustleistung, p-Kanal:
2 W
Betriebstemperatur, max.:
-
Bauform - Transistor:
SOP
Qualifikation:
-
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
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FETs
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Zweifache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
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FETs
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Thyristoren
,
Transistoren
,
Zweifache
,
ROHM
,
SH8M11GZETB
,
2706782
,
270-6782
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