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VISHAY SIRA20DP-T1-RE3 MOSFET, N-KANAL, 25V, 100A, POWERPAK SO

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2708299

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIRA20DP-T1-RE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480 µohm

Produktpalette: TrenchFET

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 100 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: PowerPAK SO

Drain-Source-Spannung Vds: 25 V

Verlustleistung: 104 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 V

SVHC: Lead (19-Jan-2021)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA20DP-T1-RE3, 2708299, 270-8299

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