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| Artikel-Nr.: 8737-2729832 Herst.-Nr.: SQJB42EP-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30 AProduktpalette: TrenchFET Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0079 ohmKanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0079 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 48 WVerlustleistung, p-Kanal: 48 WBetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PowerSO Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, VISHAY, SQJB42EP-T1_GE3, 2729832, 272-9832 |
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