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| Artikel-Nr.: 8737-2729833 Herst.-Nr.: SI3493DDV-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 ohmProduktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 8 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TSOP Drain-Source-Spannung Vds: 20 VVerlustleistung: 3.6 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 8a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI3493DDV-T1-GE3, 2729833, 272-9833 |
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