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| Artikel-Nr.: 8737-2784061 Herst.-Nr.: IXFN360N10T EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 100 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026 ohmProduktpalette: Trench HiperFET Dauer-Drainstrom Id: 360 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CDrain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 830 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: No SVHC (12-Jan-2017) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, MOSFET-Module, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFN360N10T, 2784061, 278-4061 |
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