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| Artikel-Nr.: 8737-2802799 Herst.-Nr.: SIZ998DT-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60 AProduktpalette: TrenchFET Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022 ohmKanaltyp: n-Kanal + Schottky Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 32.9 WVerlustleistung, p-Kanal: 32.9 WBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAIR Qualifikation: - SVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, VISHAY, SIZ998DT-T1-GE3, 2802799, 280-2799 |
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