| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-2839489 Herst.-Nr.: IRFR1010ZTRPBF EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058 ohmProduktpalette: HEXFET MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 42 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 55 VVerlustleistung: 140 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: No SVHC (27-Jun-2018) RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: MOSFET-Transistor, SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, d-pak diode, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IRFR1010ZTRPBF, 2839489, 283-9489 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |