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ONSEMI NTB25P06T4G MOSFET, P-KANAL, -60V, -27.5A, TO-263


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2845365
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTB25P06T4G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 27.5 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 120 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTB25P06T4G, 2845365, 284-5365
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