| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-2845368 Herst.-Nr.: NTB6410ANT4G EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 76 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 188 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Keine Angaben |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTB6410ANT4G, 2845368, 284-5368 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |