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| Artikel-Nr.: 8737-2845402 Herst.-Nr.: NTHD3100CT1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9 AProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064 ohmKanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 1.1 WVerlustleistung, p-Kanal: 1.1 WBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: ChipFET Qualifikation: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ONSEMI, NTHD3100CT1G, 2845402, 284-5402 |
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