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Artikel
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2846633
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SIS932EDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal:
30 V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal:
6 A
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
6 Pin(s)
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal:
30 V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal:
6 A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal:
0.018 ohm
Kanaltyp:
n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal:
0.018 ohm
Verlustleistung, n-Kanal:
23 W
Verlustleistung, p-Kanal:
23 W
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
PowerPAK 1212
Qualifikation:
-
SVHC:
To Be Advised
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Zweifache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
Transistor
,
mosfet vishay
,
smd transistor
,
Dioden
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
Zweifache
,
VISHAY
,
SIS932EDN-T1-GE3
,
2846633
,
284-6633
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CHF 0.20*
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ab 5000 Stück
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CHF 0.20755
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ab 2500000 Stück
CHF 0.172*
CHF 0.18593
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