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VISHAY SI3477DV-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, -12V, -8A, TSOP
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2889720
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SI3477DV-T1-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung:
4.5 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.014 ohm
Produktpalette:
TrenchFET
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
6 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
8 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TSOP
Drain-Source-Spannung Vds:
12 V
Verlustleistung:
4.2 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
1 V
SVHC:
To Be Advised
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
mosfet 8a
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
VISHAY
,
SI3477DV-T1-GE3
,
2889720
,
288-9720
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