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STMICROELECTRONICS STD15N60M2-EP MOSFET, N-KANAL, 600V, 11A, TO-252

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2889917

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STD15N60M2-EP

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34 ohm

Produktpalette: MDmesh

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 11 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 600 V

Verlustleistung: 110 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STD15N60M2-EP, 2889917, 288-9917

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