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| Artikel-Nr.: 8737-2889918 Herst.-Nr.: STD6N60M2 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06 ohmProduktpalette: MDmesh MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 4.5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 60 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STD6N60M2, 2889918, 288-9918 |
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