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ROHM RGW60TK65GVC11 IGBT, 1FACH, 650V, 33A, TO-3PFM


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     8737-2900183
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGW60TK65GVC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Bauform - Transistor: TO-3PFM
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 72 W
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RGW60TK65GVC11, 2900183, 290-0183
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