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| Artikel-Nr.: 8737-2932889 Herst.-Nr.: SI7113ADN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 27.8 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 VSVHC: To Be Advised Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11 ohmProduktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 10.8 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CRoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI7113ADN-T1-GE3, 2932889, 293-2889 |
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