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VISHAY SIDR626DP-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 60V, 100A, 150°C, 125W
Menge:
Packung
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2932898
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SIDR626DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.0014 ohm
Produktpalette:
TrenchFET Gen IV
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
8 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
100 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
PowerPAK SO
Drain-Source-Spannung Vds:
60 V
Verlustleistung:
125 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
3.4 V
SVHC:
To Be Advised
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
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FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
mosfet 100a
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
VISHAY
,
SIDR626DP-T1-GE3
,
2932898
,
293-2898
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