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VISHAY SIDR668DP-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 100V, 95A, 150°C, 125W

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2932900

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIDR668DP-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Drain-Source-Spannung Vds: 100 V

Verlustleistung: 125 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4 V

SVHC: To Be Advised

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004 ohm

Produktpalette: TrenchFET Gen IV

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 95 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: PowerPAK SO

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIDR668DP-T1-GE3, 2932900, 293-2900

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