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ROHM RJ1U330AAFRGTL MOSFET, N-KANAL, 250V, 33A, 150°C, 211W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2965339
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RJ1U330AAFRGTL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 33 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 250 V
  • Verlustleistung: 211 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RJ1U330AAFRGTL, 2965339, 296-5339
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