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| Artikel-Nr.: 8737-2985365 Herst.-Nr.: MUN5212DW1T1G EAN/GTIN: k.A. |
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| Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 22 kohmBasis-Emitter-Widerstand R2: 22 kohmAnzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-363 Dauer-Kollektorstrom: 100 mADC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60 hFEVerlustleistung: 385 mWQualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 VRoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, schalttransistor npn, smd transistor, Bipolare, digitale, Dioden, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Vorgespannte, ONSEMI, MUN5212DW1T1G, 2985365, 298-5365 |
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