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| Artikel-Nr.: 8737-2985490 Herst.-Nr.: FQD17P06TM EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11 ohmProduktpalette: QFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 12 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 2.5 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FQD17P06TM, 2985490, 298-5490 |
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