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| Artikel-Nr.: 8737-2985515 Herst.-Nr.: SBC847BDW1T1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Zweifach npn Verlustleistung, NPN: 380 mWBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-363 Verlustleistung, PNP: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - Übergangsfrequenz, NPN: 100 MHzÜbergangsfrequenz, PNP: - Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100 mAKollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45 VKontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200 hFERoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor Array, smd-transistor npn, smd transistor, transistor array on semiconductor, (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, SBC847BDW1T1G, 2985515, 298-5515 |
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