| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3003985 Herst.-Nr.: FDMC86160ET100 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112 ohmProduktpalette: PowerTrench MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 43 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PQFN Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 65 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, pqfn mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDMC86160ET100, 3003985, 300-3985 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |