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VISHAY SIHB120N60E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 25A, 600V, TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3019076
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB120N60E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104 ohm
  • Produktpalette: E
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 25 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 179 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHB120N60E-GE3, 3019076, 301-9076
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