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VISHAY SIHP180N60E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 19A, 600V, TO-220AB

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-3019098

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIHP180N60E-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155 ohm

Produktpalette: E

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Durchsteckmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 19 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-220AB

Drain-Source-Spannung Vds: 600 V

Verlustleistung: 156 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V

SVHC: To Be Advised

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHP180N60E-GE3, 3019098, 301-9098

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