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| Artikel-Nr.: 8737-3019118 Herst.-Nr.: SIRA50ADP-T1-RE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860 µohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 219 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 100 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 VSVHC: Lead (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA50ADP-T1-RE3, 3019118, 301-9118 |
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