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VISHAY SIZF300DT-T1-GE3 MOSFET, 2FACH N-KANAL, 30V, 141A, 150°C


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3019150
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIZF300DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V
  • Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141 A
  • Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 9 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141 A
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016 ohm
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016 ohm
  • Verlustleistung, n-Kanal: 74 W
  • Verlustleistung, p-Kanal: 74 W
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAIR
  • Qualifikation: -
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, VISHAY, SIZF300DT-T1-GE3, 3019150, 301-9150
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