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VISHAY SUP50010E-GE3 MOSFET, 60V, 150A, 175°C, 375W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3019168
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUP50010E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Dauer-Drainstrom Id: 150 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220AB
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 375 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SUP50010E-GE3, 3019168, 301-9168
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