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STMICROELECTRONICS STD110N8F6 MOSFET, N-KANAL, 80V, 80A, 175°C, 167W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3132718
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STD110N8F6
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056 ohm
  • Produktpalette: STripFET F6
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 80 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 80 V
  • Verlustleistung: 167 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STD110N8F6, 3132718, 313-2718
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