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STMICROELECTRONICS STD80N4F6 MOSFET, N-KANAL, 40V, 80A, 175°C, 70W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-3132732
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STD80N4F6
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet dpak
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055 ohm
  • Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 80 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 70 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STD80N4F6, 3132732, 313-2732
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