| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3132769 Herst.-Nr.: STW56N60M2-4 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 ohmProduktpalette: MDmesh M2 Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 52 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 350 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STW56N60M2-4, 3132769, 313-2769 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |