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INFINEON IMZ120R090M1HXKSA1 MOSFET, N-KANAL, 1,2KV, 26A, 175°C, 115W

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-3223686

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IMZ120R090M1HXKSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Rds(on)-Prüfspannung: 18 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09 ohm

Produktpalette: CoolSiC

Anzahl der Pins: 4 Pin(s)

MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 26 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-247

Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV

Verlustleistung: 115 W

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V

SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

Weitere Suchbegriffe: mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IMZ120R090M1HXKSA1, 3223686, 322-3686

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