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ONSEMI FCD1300N80Z MOSFET, N-KANAL, 800V, 4A, 150°C, 52W
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-3253669
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FCD1300N80Z
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
1.05 ohm
Produktpalette:
SuperFET II
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
4 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds:
800 V
Verlustleistung:
52 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
4.5 V
SVHC:
Lead (23-Jan-2024)
RoHS konform: Keine Angaben
... >
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Weitere Suchbegriffe:
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Thyristoren
,
Transistoren
,
ONSEMI
,
FCD1300N80Z
,
3253669
,
325-3669
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