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ONSEMI FCH023N65S3L4 MOSFET, N-KANAL, 650V, 75A, 150°C, 595W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3253671
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FCH023N65S3L4
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195 ohm
  • Produktpalette: SuperFET III
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 75 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 595 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FCH023N65S3L4, 3253671, 325-3671
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