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| Artikel-Nr.: 8737-3253833 Herst.-Nr.: SIHH125N60EF-T1GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125 ohmProduktpalette: EF MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 23 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK Drain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 156 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHH125N60EF-T1GE3, 3253833, 325-3833 |
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