ROHM RSQ045N03HZGTR MOSFET, N-KANAL, 30V, 4.5A, 150°C, 1.25W

Menge:

Packung

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-3261730

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
RSQ045N03HZGTR

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 ohm

Produktpalette: -

Anzahl der Pins: 6 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 4.5 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TSMT

Drain-Source-Spannung Vds: 30 V

Verlustleistung: 1.25 W

Qualifikation: AEC-Q101

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RSQ045N03HZGTR, 3261730, 326-1730

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