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VISHAY SI2369BDS-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, -30V, -7.5A, 2.5W
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-3263505
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SI2369BDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.0225 ohm
Produktpalette:
TrenchFET Gen IV
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
7.5 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
SOT-23
Drain-Source-Spannung Vds:
30 V
Verlustleistung:
2.5 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
2.2 V
SVHC:
To Be Advised
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
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Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
Dioden
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Einfache
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FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
VISHAY
,
SI2369BDS-T1-GE3
,
3263505
,
326-3505
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